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      2021年8月22日，英唐智控合作伙伴中天弘宇在上海浦東舉行了“自主研發(fā)、國(guó)際首創(chuàng)——先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)布會(huì)”。上海市、浦東新區(qū)等相關(guān)部門(mén)，國(guó)際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)等行業(yè)組織出席，公司董事長(zhǎng)胡慶周、 半導(dǎo)體事業(yè)群總裁孫磊、董事長(zhǎng)助理張光劍一行也應(yīng)邀出席了本次發(fā)布會(huì)。

中國(guó)工程院院士倪光南視頻致辭

      本次發(fā)布會(huì)上，中國(guó)工程院院士倪光南通過(guò)視頻方式致辭，他指出本次發(fā)布的先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)是一項(xiàng)重大發(fā)明，實(shí)現(xiàn)了中國(guó)存儲(chǔ)器底層技術(shù)零的突破，希望企業(yè)與集成電路行業(yè)企業(yè)一起發(fā)奮努力，設(shè)計(jì)創(chuàng)新更多自主原創(chuàng)的產(chǎn)品，提高自主原創(chuàng)存儲(chǔ)器的市場(chǎng)份額。

      中天弘宇副總裁、CTO聶虹向與會(huì)來(lái)賓詳細(xì)介紹了其先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新原理、優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)、產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。該技術(shù)由傳統(tǒng)的“熱電子注入”（CHE）升級(jí)為 “二次電子倍增注入浮柵”，并創(chuàng)造性地對(duì)閃存存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)進(jìn)行了重構(gòu)，使新的存儲(chǔ)單元突破短溝道穿通的世界性難題、并兼容標(biāo)準(zhǔn)的邏輯制程。運(yùn)用這一技術(shù)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，有著小面積、低功耗、大容量、低成本的特點(diǎn)，在汽車(chē)、工業(yè)、5G的領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。目前該項(xiàng)發(fā)明成果已在中、日、美、韓和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)申請(qǐng)了成體系的原創(chuàng)性發(fā)明專利，其中多項(xiàng)核心專利已獲批，專利體系化建設(shè)在不斷完善之中。

      同時(shí)中天弘宇副總裁聶虹還指出，電源管理芯片（PMIC）市場(chǎng)容量巨大，國(guó)內(nèi)起點(diǎn)較低，中天弘宇以此作為新存儲(chǔ)技術(shù)的市場(chǎng)切入點(diǎn)，將大有可為。據(jù)其介紹，運(yùn)用該項(xiàng)技術(shù)的國(guó)內(nèi)某頭部代工廠商的90nmBCD工藝平臺(tái)已經(jīng)通過(guò)產(chǎn)品流片驗(yàn)證，相關(guān)測(cè)試結(jié)果符合設(shè)計(jì)規(guī)格，90nm制程的BCD工藝較當(dāng)前代工廠中主流BCD工藝平臺(tái)（130nm-180nm）擁有明顯的技術(shù)和成本優(yōu)勢(shì)。

      英唐智控于2020年11月與中天弘宇簽署《合作協(xié)議》，雙方將結(jié)合公司在汽車(chē)、工業(yè)及移動(dòng)通信領(lǐng)域的客戶資源和渠道分銷(xiāo)優(yōu)勢(shì)、中天弘宇先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)在90nmBCD工藝平臺(tái)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，雙方將聯(lián)合開(kāi)發(fā)電源管理類(lèi)芯片，并擬以新型存儲(chǔ)技術(shù)在電源管理芯片上的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用為開(kāi)端，開(kāi)展新型存儲(chǔ)技術(shù)在設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造及市場(chǎng)推廣方面的深度合作。本次發(fā)布會(huì)的成功召開(kāi)，將有望加快推進(jìn)雙方的合作進(jìn)程。

英唐智控、中天弘宇領(lǐng)導(dǎo)合影